• <xmp id="ioqie">
  • <blockquote id="ioqie"></blockquote>
  • 全國服務咨詢熱線:

    18396591470

    當前位置:首頁  >  產品中心  >  半導體行業專用儀器  >  ALD  >  QBT-A雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統

    雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統

    簡要描述:雙腔室高真空等離子體ALD設備是對ALD技術的擴展,通過等離子體的引入,產生大量活性自由基,增強了前驅體物質的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時間,同時也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

    • 產品型號:QBT-A
    • 廠商性質:生產廠家
    • 更新時間:2023-06-14
    • 訪  問  量:356

    相關文章

    RELATED ARTICLES

    詳細介紹

        一、雙腔室高真空等離子體ALD設備核心參數:

        價格區間:100萬-200萬

        產地類別:國產原子層沉積系統(ALD)

        襯底尺寸:Ф200mm

        工藝溫度:RT-500±1ºC

        前驅體數:最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態或固態反應前驅體

        重量:300KG

        尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

        均勻性:均一性<1%

        二、雙腔室高真空等離子體ALD設備應用原理分析:

        原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術,具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

        等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,PEALD)是對ALD技術的擴展,通過等離子體的引入,產生大量活性自由基,增強了前驅體物質的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時間,同時也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

        三、廈門韞茂科技有限公司為您提供參數、價格、型號、原理等信息,產地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-A,價格為100萬-200萬RMB,更多相關信息可咨詢,公司客服電話7*24小時為您服務。

        四、主要技術參數:

    2.png

      五、測試結果展示:

    3.png


    產品咨詢

    留言框

    • 產品:

    • 您的單位:

    • 您的姓名:

    • 聯系電話:

    • 常用郵箱:

    • 省份:

    • 詳細地址:

    • 補充說明:

    • 驗證碼:

      請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7

    電子郵箱:su.zhipeng@ym-qbt.com

    公司地址:廈門市集美區兌英南路255號

    業務咨詢微信

    邻居少妇张开腿让我爽了在线观看,寡妇下边太紧了夹死我了,亚洲日韩国产一区二区蜜桃,国产性色亚洲69国产成人无码电影
  • <xmp id="ioqie">
  • <blockquote id="ioqie"></blockquote>