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簡要描述:雙腔室高真空等離子體ALD設備是對ALD技術的擴展,通過等離子體的引入,產生大量活性自由基,增強了前驅體物質的反應活性,從而拓展了ALD對前驅源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時間,同時也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實現低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
產品分類
半導體行業專用儀器
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