雙腔室超高真空磁控濺射系統QBT-P配備進樣室及濺射腔室,濺射室配備離子刻蝕功能,腔室內配備超高真空傳輸,設備真空度≤3E-9Torr,基板加熱900℃,可制備超導Ta/TiN/NbN/Al/Nb等薄膜
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